エミッタ接地増幅回路のバイアス方式
エミッタ接地増幅回路の動作点を設定する為には、直流電源が必要です。この時に流した直流電源をバイアスといい、流れる電流をバイアス電流といいます。バイアスをかける方式には以下のものがあります。
固定バイアス回路
バイアス抵抗による回路損失が少ない
安定度はあまりよくない
自己バイアス回路
安定度がよい
何らかの原因で、コレクタ電流Ｉｃが増加すると、抵抗Ｒｃの電圧降下が大きくなります。よってエミッタ-コレクタ電圧ＶＣＥが減少します。そのためベース電流ＩＢが減少し、コレクタ電流Ｉｃの増加を抑えることができます。
電流帰還バイアス回路
Ｒ，ＲＢで電力消費あり
安定度が非常によい
図のトランジスタ増幅回路において、Vcc=9[V]、Ic=2[mA]であるとき、バイアス抵抗RB[kΩ]の値として、正しいのは次のうちどれか。ただし、直流電流増幅率hfe=100、VBE=0.6[V]とする。
(1) 360 (2) 420 (3) 510 (4) 630 (5) 740
解説
答え （2）
図１、図２及び図３は、トランジスタ増幅器のバイアス回路を示す。次の（ａ）及び（ｂ）に答えよ。
ただし、VCCは電源電圧、ＶＢはベース電圧、ＩＢはベース電流、ICはコレクタ電流、ＩＥはエミッタ電流、Ｒ、ＲＢ、ＲＣ及びＲＥは抵抗を示す。
（ａ）次の式１、式２及び式３は、図１、図２及び図３のいずれかの回路のベース・エミッタ間の電圧ＶＢＥを示す。
１ --- ＶＢＥ＝ＶＢ-ＩＥＲＥ
２ --- ＶＢＥ＝VCC-ＩＢＲ
３ --- ＶＢＥ＝VCC-ＩＢＲ-ＩＣＲＣ
上記の式と図を正しく組み合わせたものは次のうちどれか。
| 式１ | 式２ | 式３ | |
| （１） | 図１ | 図２ | 図３ |
| （２） | 図２ | 図３ | 図１ |
| （３） | 図３ | 図１ | 図２ |
| （４） | 図１ | 図３ | 図２ |
| （５） | 図３ | 図２ | 図１ |
（ｂ）次の文章１、２及び３は、それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化とその増加特性について述べたものである。
１．温度上昇によりＩＢが増加すると、増加特性が安定しないバイアス回路の図は（ア）である。
２．温度上昇によりＩＢが増加すると、ＩＥも増加する。他方、ＶＢは一定であるからＶＢＥが減少するので、増加特性が最も安定するバイアス回路は図の（イ）である。
３．（ウ）のバイアス回路は、温度上昇によりＩＢが増加すると、ＲＣの電圧降下でコレクタ・エミッタ間の電圧ＶＣＥが抑えられ、増幅特性が安定する。
上記の記述中の空白箇所（ア）、（イ）及び（ウ）に当てはまる語句として、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。
解説
キルヒホッフの法則を適用すると
図１は VBE＝VCCーIBR
図２は VBE＝VCCーIBRーICRC
図３は VBE＝VBーIERE
固定バイアス回路ははIBが増加すると、安定しない
自己バイアス回路はIBが増加すると、RCの電圧降下でVCEが抑えられ増加特性が安定する。
電流帰還バイアス回路はIBが増加すると、IEも増加する。そしてVBEが減少して増加特性が安定する。
答え a-（3）、ｂ−（4）
