トランジスタは「バイポーラトランジスタ」と「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）」という主流のタイプがあります。ほとんどのトランジスタは、「バイポーラトランジスタ」か「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）」に属します。
バイポーラトランジスタは、半導体に電子と正孔のキャリアを持ち動作します。ＦＥＴは、キャリアが電子又は正孔のいずれかのみを持ち、動作します。尚、ＦＥＴはユニポーラトランジスタとも呼ばれます。

バイポーラトランジスタはｐ型とｎ型の半導体を、ｎｐｎあるいは、ｐｎｐに接合したトランジスタで、接合型トランジスタとも呼ばれます。ｎｐｎ型のトランジスタは下図のようになります。

エミッタ、ベース、コレクタという３つの端子を持ちます。動作の原理は、エミッタ側に−、コレクタ側に+の電圧をかけると、エミッタの電子がコレクタ側に引き寄せられ、ベースの正孔と結びつきます。
コレクタ内の電子も+極に引き寄せられ、空乏層が形成されます。
ここで、ベースを+として、エミッタ−ベース間に電圧をかける（順方向バイアスをかける）と、ベースに正孔が注入され、エミッタの電子がさらに移動します。
結果として、トランジスタ全体に電流が流れます。つまり、ベース電流の大小により、コレクタ電流を変化させることができ、電流制御素子としての役割を果たします。

ＦＥＴは単極板のトランジスタで下図のように、ソース・ゲート・ドレインという端子を持ちます。ゲート部分の構造により、ＦＥＴは接合型とＭＯＳ型に分類され、図は金属（metal）−酸化物（oxide）−半導体（semiconductor）となっていることから、その頭文字をとってＭＯＳと呼ばれています。

動作の原理は、ソース側に−、ドレイン側に+、ゲートに+の電圧をかけると、ゲート極付近のｐ型シリコンウエアの正孔を下の方へ移動させ、空乏層を形成させます。
ソースからは、電子が流れ出て、ドレインに移動しようという流れ（この場合ｎ型チャンネルという）ができ、トランジスタ全体に電流が流れます。
この原理は、チャンネルがｎ型なのでNMOS型と呼ばれますが、正孔がキャリアとなるものは、ＰＭＯS型と呼ばれ、電圧や電流の向きが逆方向となります。
ＦＥＴは、ゲート電圧の大小によって、ソースとドレイン間の電流を制御する半導体素子です。

FETは、半導体の中を移動する多数キャリヤを(　ア　)電圧により生じる電界によって制御する素子であり、接合形と(　イ　)形がある。次の記号は接合形の(　ウ　)チャネルFETを示す。
上記の記述中の空白箇所(　ア　)、(　イ　)、(　ウ　)に記入する字句として、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。

	(ア)	(イ)	(ウ)
（１）	ゲート	MOS	n
（２）	ドレイン	MSI	p
（３）	ソース	DPI	n
（４）	ドレイン	MOS	p
（５）	ゲート	DPI	n

電界効果トランジスタ(FET)に関する記述として、誤っているものは次のうちどれか。

答え　（４）